KTY 84/130, датчик температури, до 155°С 145

IZI.ua (іЗі) Харків, Харківська область, Україна

Датчик температури, KTY 84/130, от -40 до +155 градусів, планарный, терморезистор, термодатчик.

Датчик температури KTY 84/130, точність 1 градус.

Ідеально підходить до Терморегулятора UDS-12.R KTY и Терморегулятора UDS-220.R K

Ціна:

630 Ом до +155°С - 145 гривень, PRICE 4 $.

Також в наявності 1030 Ом до +300°С - 1850 гривень, PRICE 40 $.

тел. +38 **********
uds12r@ukr.net

www.uds.zakupka.com

Доставка в будь-яке місто Україні накладеним платежом або передоплатой НоваПошта.

Докладний опис:

Планарный кремниевый температурный датчик производителя Philips Semiconductors с положительным термокоэффициентом. Температурный диапазон -40°С...+155°С. Очень короткое время измерения. Корпус 2,6x1,7мм. Сопротивление 630 Ом ±3%.
Температурные датчик KTY84-130 серии имеют положительный температурный коэффициент сопротивления и пригодны для применения в измерительных и управляющих системах в диапазоне температур от -40 до +155 градусов С. Датчики инкапсулируются в SOD68 (DO-34) этилированный пластиковый пакет.
Подходит для Терморегуляторов UDS-12.R и UDS-220.R.

Кремниевые терморезисторы Philips Semiconductors зарекомендовали себя как надежные и недорогие приборы, имеющие относительно невысокую погрешность преобразования. Термодатчики Philips Semiconductors отличают близкая к линейной характеристика преобразования и значительная долговременная стабильность параметров. Диапазон измеряемых температур -45 … +155 С.
Производственная линейка терморезисторов Philips Semiconductors включает несколько семейств, члены которых различаются по конструктивным признакам и электрическим характеристикам.

Терморезисторы производятся по уникальной технологии “разветвляющихся сопротивлений” и выпускаются в стандартных корпусах (SOT-23, SOT-70 и DO-34).

Чувствительный элемент представляет собой кристалл кремния n-типа размерами 500х500х240 мкм. На поверхности пластины имеется слой SiO2, в котором вскрыто отверстие диаметром 20 мкм, через него формируется n+ область посредством ввода легирующей примеси. Сверху сформирована круглая металлическая контактная площадка, нижняя поверхность структуры металлизирована.

Схожі оголошення